Difference between revisions of "ExpEYES/C3/Diode-Rectifier-Transistor/Kannada"
Sandhya.np14 (Talk | contribs) |
|||
Line 9: | Line 9: | ||
| ಈ ‘ಟ್ಯುಟೋರಿಯಲ್’ನಲ್ಲಿ, ನಾವು: | | ಈ ‘ಟ್ಯುಟೋರಿಯಲ್’ನಲ್ಲಿ, ನಾವು: | ||
− | 'PN ಜಂಕ್ಶನ್ ಡಯೋಡ್' ನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆ | + | 'PN ಜಂಕ್ಶನ್ ಡಯೋಡ್' ನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆ, 'ಡಯೋಡ್'- ಒಂದು 'ರೆಕ್ಟಿಫೈಯರ್' ನ ಹಾಗೆ, |
− | 'ಡಯೋಡ್ | + | 'ಡಯೋಡ್ IV (ಐ-ವಿ)' ಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು, 'ಲೈಟ್ ಎಮಿಟಿಂಗ್ ಡಯೋಡ್ IV' ಯ (LED) ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು, |
− | + | 'ಔಟ್ ಆಫ್ ಫೇಜ್ ಇನ್ವರ್ಟಿಂಗ್ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್' (out of phase inverting amplifier) ಮತ್ತು 'ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ CE' ಇವುಗಳನ್ನು ಕಲಿಯುವೆವು. | |
− | + | ||
− | + | ||
− | + | ||
− | 'ಔಟ್ ಆಫ್ ಫೇಜ್ ಇನ್ವರ್ಟಿಂಗ್ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್' (out of phase inverting amplifier) ಮತ್ತು | + | |
− | 'ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ CE' | + | |
− | ಇವುಗಳನ್ನು ಕಲಿಯುವೆವು. | + | |
|- | |- | ||
|00:26 | |00:26 | ||
| ಇಲ್ಲಿ ನಾನು: | | ಇಲ್ಲಿ ನಾನು: | ||
− | '''ExpEYES''' ಆವೃತ್ತಿ 3.1.0 | + | '''ExpEYES''' ಆವೃತ್ತಿ 3.1.0, |
'''Ubuntu Linux OS''' (ಉಬಂಟು ಲಿನಕ್ಸ್ ಒ ಎಸ್) ಆವೃತ್ತಿ 14.04 | '''Ubuntu Linux OS''' (ಉಬಂಟು ಲಿನಕ್ಸ್ ಒ ಎಸ್) ಆವೃತ್ತಿ 14.04 | ||
Line 61: | Line 55: | ||
|- | |- | ||
|01:46 | |01:46 | ||
− | |ನಾವು ಇದರ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಪ್ಲಾಟ್ ವಿಂಡೋ ದ ಮೇಲೆ ನೋಡೋಣ. | + | |ನಾವು ಇದರ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಪ್ಲಾಟ್-ವಿಂಡೋ ದ ಮೇಲೆ ನೋಡೋಣ. |
|- | |- | ||
|01:49 | |01:49 | ||
Line 271: | Line 265: | ||
|09:38 | |09:38 | ||
| ಈ ಟ್ಯುಟೋರಿಯಲ್ ನಲ್ಲಿ, ನಾವು - | | ಈ ಟ್ಯುಟೋರಿಯಲ್ ನಲ್ಲಿ, ನಾವು - | ||
− | 'PN ಜಂಕ್ಶನ್ ಡಯೋಡ್' ನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆ | + | 'PN ಜಂಕ್ಶನ್ ಡಯೋಡ್' ನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆ, 'ಡಯೋಡ್'- ಒಂದು 'ರೆಕ್ಟಿಫೈಯರ್' ನ ಹಾಗೆ, |
− | + | ||
− | 'ಡಯೋಡ್'- ಒಂದು 'ರೆಕ್ಟಿಫೈಯರ್' ನ ಹಾಗೆ | + | |
− | + | ||
− | + | ||
− | + | ||
− | + | ||
− | ' | + | 'ಡಯೋಡ್ IV (ಐ-ವಿ)' ಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು, LED IV ಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು, |
− | ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ CE | + | 'ಔಟ್ ಆಫ್ ಫೇಜ್ ಇನ್ವರ್ಟಿಂಗ್ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್' ಮತ್ತು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ CE ಇವುಗಳನ್ನು ಕಲಿತಿದ್ದೇವೆ. |
− | ಇವುಗಳನ್ನು ಕಲಿತಿದ್ದೇವೆ. | + | |
|- | |- | ||
|09:58 | |09:58 | ||
| ಒಂದು ಅಸೈನ್ಮೆಂಟ್- | | ಒಂದು ಅಸೈನ್ಮೆಂಟ್- | ||
ಬೆಳಕಿನ ಮೂಲದಿಂದ ಅದರ ಗಾಢತೆ ಮತ್ತು ಅದರ ಪರಿವರ್ತನೆಯನ್ನು ಅಳೆಯಿರಿ. | ಬೆಳಕಿನ ಮೂಲದಿಂದ ಅದರ ಗಾಢತೆ ಮತ್ತು ಅದರ ಪರಿವರ್ತನೆಯನ್ನು ಅಳೆಯಿರಿ. | ||
− | ಇದು ‘ಸರ್ಕೀಟ್’ ಡೈಗ್ರಾಮ್ ಆಗಿದೆ. | + | ಇದು ‘ಸರ್ಕೀಟ್’ ಡೈಗ್ರಾಮ್ ಆಗಿದೆ. ಔಟ್ಪುಟ್, ಹೀಗೆ ಕಾಣಬೇಕು. |
− | ಔಟ್ಪುಟ್, ಹೀಗೆ ಕಾಣಬೇಕು. | + | |
|- | |- | ||
|10:13 | |10:13 | ||
Line 300: | Line 286: | ||
|- | |- | ||
|10:34 | |10:34 | ||
− | |'''IIT Bombay''' ಯಿಂದ, ‘ಸ್ಕ್ರಿಪ್ಟ್’ನ ಅನುವಾದಕಿ ಸಂಧ್ಯಾ ಪುಣೇಕರ್ ಹಾಗೂ ಪ್ರವಾಚಕ | + | |'''IIT Bombay''' ಯಿಂದ, ‘ಸ್ಕ್ರಿಪ್ಟ್’ನ ಅನುವಾದಕಿ ಸಂಧ್ಯಾ ಪುಣೇಕರ್ ಹಾಗೂ ಪ್ರವಾಚಕ ನವೀನ್ ಭಟ್, ಉಪ್ಪಿನಪಟ್ಟಣ. |
ವಂದನೆಗಳು. | ವಂದನೆಗಳು. | ||
|} | |} |
Latest revision as of 20:14, 22 September 2017
Time | Narration |
00:01 | ನಮಸ್ಕಾರ. Diode, Rectifier and Transistor (ಡಯೋಡ್, ರೆಕ್ಟಿಫೈಯರ್ ಆಂಡ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್) ಎಂಬ ‘ಟ್ಯುಟೋರಿಯಲ್’ಗೆ ನಿಮಗೆ ಸ್ವಾಗತ. |
00:08 | ಈ ‘ಟ್ಯುಟೋರಿಯಲ್’ನಲ್ಲಿ, ನಾವು:
'PN ಜಂಕ್ಶನ್ ಡಯೋಡ್' ನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆ, 'ಡಯೋಡ್'- ಒಂದು 'ರೆಕ್ಟಿಫೈಯರ್' ನ ಹಾಗೆ, 'ಡಯೋಡ್ IV (ಐ-ವಿ)' ಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು, 'ಲೈಟ್ ಎಮಿಟಿಂಗ್ ಡಯೋಡ್ IV' ಯ (LED) ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು, 'ಔಟ್ ಆಫ್ ಫೇಜ್ ಇನ್ವರ್ಟಿಂಗ್ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್' (out of phase inverting amplifier) ಮತ್ತು 'ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ CE' ಇವುಗಳನ್ನು ಕಲಿಯುವೆವು. |
00:26 | ಇಲ್ಲಿ ನಾನು:
ExpEYES ಆವೃತ್ತಿ 3.1.0, Ubuntu Linux OS (ಉಬಂಟು ಲಿನಕ್ಸ್ ಒ ಎಸ್) ಆವೃತ್ತಿ 14.04 ಇವುಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತಿದ್ದೇನೆ. |
00:36 | ಈ ‘ಟ್ಯುಟೋರಿಯಲ್’ಅನ್ನು ಅನುಸರಿಸಲು, ನೀವು ExpEYES Junior ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ ಅನ್ನು ಚೆನ್ನಾಗಿ ತಿಳಿದಿರಬೇಕು.
ಇಲ್ಲದಿದ್ದರೆ, ಸಂಬಂಧಿತ ‘ಟ್ಯುಟೋರಿಯಲ್’ಗಳಿಗಾಗಿ ದಯವಿಟ್ಟು ನಮ್ಮ ವೆಬ್ಸೈಟ್ ಅನ್ನು ನೋಡಿ. |
00:47 | ನಾವು ಮೊದಲು 'PN ಜಂಕ್ಶನ್ ಡಯೋಡ್'ಅನ್ನು ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸೋಣ. |
00:51 | PN ಜಂಕ್ಶನ್ ಡಯೋಡ್:
ಒಂದು 'ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್' ಸಾಧನವಾಗಿದ್ದು ಒಂದೇ ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ಕರೆಂಟ್ ಹರಿಯಲು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ. 'ಆಲ್ಟರ್ನೇಟಿಂಗ್ ಕರೆಂಟ್' ಅನ್ನು 'ಡೈರೆಕ್ಟ್ ಕರೆಂಟ್' ಗೆ ಪರಿವರ್ತಿಸುತ್ತದೆ. |
01:03 | ಒಂದು 'ಹಾಫ್ ವೇವ್ ರೆಕ್ಟಿಫೈಯರ್' ನಂತೆ 'PN ಜಂಕ್ಶನ್ ಡಯೋಡ್' ನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯನ್ನು ನಾವು ಮಾಡಿತೋರಿಸುವೆವು. |
01:09 | ಈ ಪ್ರಯೋಗದಲ್ಲಿ, ನಾವು:
'ಫಾರ್ವರ್ಡ್ ಬಯಾಸ್' ನಲ್ಲಿ, 'AC ಸಿಗ್ನಲ್' ಅನ್ನು 'DC ಸಿಗ್ನಲ್' ಆಗಿ ಬದಲಾಯಿಸುವೆವು. 'ರಿವರ್ಸ್ ಬಯಾಸ್' ನಲ್ಲಿ, 'AC ಸಿಗ್ನಲ್' ಅನ್ನು 'DC ಸಿಗ್ನಲ್' ಆಗಿ ಬದಲಾಯಿಸುವೆವು. 'ಕೆಪ್ಯಾಸಿಟರ್'ಅನ್ನು ಬಳಸಿ 'AC' ಅಂಶವನ್ನು ಫಿಲ್ಟರ್ ಮಾಡುವೆವು. |
01:25 | ಈಗ, ನಾನು 'ಸರ್ಕೀಟ್ ಕನೆಕ್ಷನ್' ಗಳನ್ನು ವಿವರಿಸುವೆನು.
GND ಹಾಗೂA2 ಗಳ ನಡುವೆ '1K ರೆಸಿಸ್ಟರ್' ಅನ್ನು ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ. A2 ಮತ್ತು SINE ಗಳ ನಡುವೆ 'PN ಜಂಕ್ಶನ್ ಡಯೋಡ್' ಅನ್ನು ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ. SINE ಅನ್ನು A1 ಗೆ ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇಲ್ಲಿ, SINE ಒಂದು 'AC ಸೋರ್ಸ್' ಆಗಿದೆ. ಇದು ‘ಸರ್ಕೀಟ್’ ಡೈಗ್ರಾಮ್ ಆಗಿದೆ. |
01:46 | ನಾವು ಇದರ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಪ್ಲಾಟ್-ವಿಂಡೋ ದ ಮೇಲೆ ನೋಡೋಣ. |
01:49 | ಪ್ಲಾಟ್ ವಿಂಡೋದಲ್ಲಿ, A1ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ ಮತ್ತು CH1 ಗೆ ಎಳೆಯಿರಿ. A1 ಅನ್ನು CH1 ಗೆ ನಿಗದಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ. |
01:56 | A2 ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ ಮತ್ತು CH2 ಗೆ ಎಳೆಯಿರಿ. A2 ಅನ್ನು CH2 ಗೆ ನಿಗದಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ. |
02:01 | ತರಂಗಗಳನ್ನು ಸರಿಹೊಂದಿಸಲು, 'mSec/div' ಎಂಬ ಸ್ಲೈಡರ್ ಅನ್ನು ನಡೆಸಿ. ಎರಡು 'sine' ತರಂಗಗಳನ್ನು ರಚಿಸಲಾಗಿದೆ. |
02:10 | ಕಪ್ಪುಬಣ್ಣದ ಟ್ರೇಸ್, ಮೂಲ 'sine' ತರಂಗವಾಗಿದೆ. |
02:13 | ಕೆಂಪುಬಣ್ಣದ ಟ್ರೇಸ್, ಸರಿಪಡಿಸಲಾದ (ರೆಕ್ಟಿಫೈಡ್) 'sine' ತರಂಗವಾಗಿದೆ. ಇದು ರೆಕ್ಟಿಫೈ ಮಾಡಲಾದ ತರಂಗವಿರುವುದರಿಂದ ಕೆಂಪುಬಣ್ಣದ ಟ್ರೇಸ್ ನ ಋಣಾತ್ಮಕ ಅರ್ಧಭಾಗವನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ತೆಗೆದುಹಾಕಲಾಗಿದೆ. |
02:23 | ಡಯೋಡ್, ಒಂದು 'ಥ್ರೆಶೋಲ್ಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್' ಅನ್ನು ತಲುಪಿದ ನಂತರ ಧನಾತ್ಮಕ ಅರ್ಧವು ಆರಂಭವಾಗುತ್ತದೆ. 'ಫಾರ್ವರ್ಡ್ ಬಯಾಸ್' ನಲ್ಲಿ (forward bias), 'AC ಸಿಗ್ನಲ್', 'DC ಸಿಗ್ನಲ್' ಆಗಿ ಬದಲಾವಣೆ ಹೊಂದುತ್ತದೆ. |
02:34 | CH1 ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ ಮತ್ತು FIT ಗೆ ಎಳೆಯಿರಿ.
CH2 ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ ಮತ್ತು FIT ಗೆ ಎಳೆಯಿರಿ. |
02:40 | ವಿಂಡೋದ ಬಲಭಾಗದಲ್ಲಿ, 'ವೋಲ್ಟೇಜ್' ಹಾಗೂ 'ಫ್ರಿಕ್ವೆನ್ಸಿ' ವ್ಯಾಲ್ಯೂಗಳನ್ನು ಗಮನಿಸಿ. |
02:45 | 'ರಿವರ್ಸ್ ಬಯಾಸ್' ನಲ್ಲಿ (reverse bias), ಡಯೋಡ್ ಕನೆಕ್ಷನ್ ಅನ್ನು ರಿವರ್ಸ್ ಮಾಡಿದಾಗ, 'AC ಸಿಗ್ನಲ್', 'DC ಸಿಗ್ನಲ್' ಆಗಿ ಬದಲಾವಣೆ ಹೊಂದುತ್ತದೆ. |
02:52 | 10 uF (ಮೈಕ್ರೋ ಫರಾಡ್) 'ಕೆಪ್ಯಾಸಿಟರ್' ಅನ್ನು ಬಳಸಿ ನಾವು 'sine' ತರಂಗವನ್ನು ಫಿಲ್ಟರ್ ಮಾಡುವೆವು. ಇದೇ ಕನೆಕ್ಷನ್ ನಲ್ಲಿ, '1K ರೆಸಿಸ್ಟರ್' ಅನ್ನು '10uF' (ಮೈಕ್ರೋ ಫರಾಡ್) 'ಕೆಪ್ಯಾಸಿಟರ್' ನಿಂದ ಬದಲಾಯಿಸಿ. |
03:04 | ಇದು ‘ಸರ್ಕೀಟ್’ ಡೈಗ್ರಾಮ್ ಆಗಿದೆ. |
03:06 | ನಾವು ಇದರ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಪ್ಲಾಟ್ ವಿಂಡೋ ದ ಮೇಲೆ ನೋಡೋಣ. |
03:09 | ರೆಕ್ಟಿಫೈಡ್ sine ತರಂಗವು ಫಿಲ್ಟರ್ ಆಗಿರುವುದನ್ನು 'ಪ್ಲಾಟ್ ವಿಂಡೋ' ದಲ್ಲಿ ನಾವು ನೋಡಬಹುದು. ಇಲ್ಲಿ, AC ಘಟಕವನ್ನು 'DC' ಯಲ್ಲಿ 'ರಿಪ್ಪಲ್' ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. |
03:20 | ಈಗ 'PN ಜಂಕ್ಶನ್ ಡಯೋಡ್' ಮತ್ತು 'LED' ಗಳ 'ಡಯೋಡ್ IV' ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ನಾವು ಮಾಡಿತೋರಿಸುವೆವು. |
03:27 | ನಾನು ಸರ್ಕೀಟ್ ಕನೆಕ್ಷನ್ ಗಳನ್ನು ವಿವರಿಸುವೆನು. 'PVS' ಅನ್ನು 1K ರೆಸಿಸ್ಟರ್ ನ ಮೂಲಕ IN1 ಗೆ ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ. |
03:34 | IN1 ಅನ್ನು 'PN ಜಂಕ್ಶನ್ ಡಯೋಡ್' ನ ಮೂಲಕ GND ಗೆ ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ. |
03:39 | ಇದು ‘ಸರ್ಕೀಟ್’ ಡೈಗ್ರಾಮ್ ಆಗಿದೆ. |
03:41 | ನಾವು ಇದರ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಪ್ಲಾಟ್ ವಿಂಡೋ ದ ಮೇಲೆ ನೋಡೋಣ. |
03:44 | 'ಪ್ಲಾಟ್ ವಿಂಡೋ' ದಲ್ಲಿ, 'EXPERIMENTS' ಎಂಬ ಬಟನ್ ನ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ. 'ಡಯೋಡ್ IV' ಯನ್ನು ಆಯ್ಕೆಮಾಡಿ. |
03:51 | 'EYES:IV characteristics' ಹಾಗೂ 'Schematic' ವಿಂಡೋಗಳು ತೆರೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. 'Schematic' ವಿಂಡೋ, ಸರ್ಕೀಟ್ ಡೈಗ್ರಾಮ್ ಅನ್ನು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ. |
04:00 | 'EYES:IV characteristics' ವಿಂಡೋದಲ್ಲಿ, 'START' ಬಟನ್ ನ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ. |
04:05 | ಕರೆಂಟ್ ಮೊದಲು ಸ್ಥಿರವಾಗಿ ಉಳಿಯುತ್ತದೆ. ಆದರೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಏರುತ್ತ 0.6 volts ಆಗುತ್ತಿದ್ದಂತೆ ಕರೆಂಟ್ ಸಹ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. |
04:13 | FIT ಬಟನ್ ನ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ. |
04:16 | 'Diode equation' ಮತ್ತು 'Ideality factor' ಗಳನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸಲಾಗಿದೆ. ಡಯೋಡ್ ನ 'ideality factor', 1 ಮತ್ತು 2 ರ ನಡುವೆ ಬದಲಾಗುತ್ತಿರುತ್ತದೆ. |
04:26 | ನಾವು ಸರ್ಕೀಟ್ ನಲ್ಲಿ ಡಯೋಡ್ ಅನ್ನು ಒಂದೊಂದಾಗಿ ಕೆಂಪು, ಹಸಿರು ಮತ್ತು ಬಿಳಿ 'LED' ಗಳಿಂದ ಬದಲಾಯಿಸುವೆವು. |
04:33 | ದಯವಿಟ್ಟು ಗಮನಿಸಿ. 'LED' ಒಂದು ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ಮಾತ್ರ ಪ್ರಕಾಶಿಸುತ್ತದೆ. ಒಂದುವೇಳೆ ಅದು ಪ್ರಕಾಶಿಸದಿದ್ದರೆ, ವಿರುದ್ಧ ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ತಿರುಗಿಸಿ ಮತ್ತೆ ಜೋಡಿಸಿ. |
04:43 | ನಾವು ಮೊದಲು ಕೆಂಪು 'LED' ಯನ್ನು ಸರ್ಕೀಟ್ ನಲ್ಲಿ ಜೋಡಿಸೋಣ. ಇದು ಸರ್ಕೀಟ್ ಡೈಗ್ರಾಮ್ ಆಗಿದೆ. |
04:49 | 'ಪ್ಲಾಟ್ ವಿಂಡೋ' ದಲ್ಲಿ, 'EXPERIMENTS' ಎಂಬ ಬಟನ್ ನ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ. 'Diode IV' ಯನ್ನು ಆಯ್ಕೆಮಾಡಿ. |
04:56 | 'EYES:IV characteristics' ವಿಂಡೋದಲ್ಲಿ, 'START' ಬಟನ್ ನ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ.
'ಡಯೋಡ್ IV ಕರ್ವ್' ನಲ್ಲಿ, ಕರೆಂಟ್ ಮೊದಲು ಸ್ಥಿರವಾಗಿ ಉಳಿಯುತ್ತದೆ. ಆದರೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಏರುತ್ತ 1.7 volts ಆಗುತ್ತಿದ್ದಂತೆ ಕರೆಂಟ್ ಸಹ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. |
05:11 | ನಾವು ಹಸಿರು LED ಯನ್ನು 'ಸರ್ಕೀಟ್' ನಲ್ಲಿ ಜೋಡಿಸೋಣ. |
05:15 | 'ಪ್ಲಾಟ್ ವಿಂಡೋ' ದಲ್ಲಿ, 'EXPERIMENTS' ಬಟನ್ನ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ. 'Diode IV' ಯನ್ನು ಆಯ್ಕೆಮಾಡಿ. |
05:22 | 'EYES:IV characteristics' ಎಂಬ ವಿಂಡೋದಲ್ಲಿ, 'START' ಬಟನ್ ನ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ. |
05:27 | 'ಡಯೋಡ್ IV ಕರ್ವ್' ನಲ್ಲಿ, ಕರೆಂಟ್ ಮೊದಲು ಸ್ಥಿರವಾಗಿ ಉಳಿಯುತ್ತದೆ. ಆದರೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಏರುತ್ತ '1.8 volts' ಆಗುತ್ತಿದ್ದಂತೆ ಕರೆಂಟ್ ಸಹ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ಇಲ್ಲಿ, ವ್ಯಾಲ್ಯೂ ಸ್ವಲ್ಪ ಬದಲಾಗಬಹುದು. |
05:40 | ನಾವು ಬಿಳಿ 'LED' ಯನ್ನು ಸರ್ಕೀಟ್ ನಲ್ಲಿ ಜೋಡಿಸೋಣ. |
05:44 | 'ಪ್ಲಾಟ್ ವಿಂಡೋ' ದಲ್ಲಿ, 'EXPERIMENTS' ಎಂಬ ಬಟನ್ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ. 'Diode IV' ಯನ್ನು ಆಯ್ಕೆಮಾಡಿ. |
05:51 | 'EYES:IV characteristics' ವಿಂಡೋದಲ್ಲಿ, 'START' ಬಟನ್ ನ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ.
'ಡಯೋಡ್ IV ಕರ್ವ್' ನಲ್ಲಿ, ವೋಲ್ಟೇಜ್ '2.6 volts' ಗೆ ಏರುತ್ತಿದ್ದಂತೆ, ಮೊದಲು ಸ್ಥಿರವಾಗಿದ್ದ ಕರೆಂಟ್ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. |
06:05 | ಈಗ, ನಾವು 180 ಡಿಗ್ರೀ ಔಟ್ ಆಫ್ ಫೇಜ್ sine ತರಂಗಗಳನ್ನು ಮಾಡಿತೋರಿಸುವೆವು. |
06:10 | ಒಂದು ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿ 'SINE' ನ ಔಟ್ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಇನ್ವರ್ಟ್ ಮಾಡುವುದರ ಮೂಲಕ ನಾವು ಇದನ್ನು ಮಾಡಬಹುದು. ಇಲ್ಲಿ, ಆಂಪ್ಲಿಫಿಕೇಶನ್ ಗಾಗಿ 51K ರೆಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ನಾವು ಬಳಸುತ್ತಿದ್ದೇವೆ. |
06:21 | ನಾನು ಸರ್ಕೀಟ್ ಕನೆಕ್ಷನ್ ಗಳನ್ನು ವಿವರಿಸುವೆನು. |
06:24 | A1 ಅನ್ನು SINE ಗೆ ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ.
SINE ಮತ್ತು IN ಗಳ ನಡುವೆ 51K ರೆಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ. OUT ಅನ್ನು A2 ಗೆ ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ. |
06:35 | ಇದು ‘ಸರ್ಕೀಟ್’ ಡೈಗ್ರಾಮ್ ಆಗಿದೆ. |
06:37 | ನಾವು ಇದರ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಪ್ಲಾಟ್ ವಿಂಡೋ ದ ಮೇಲೆ ನೋಡೋಣ. |
06:40 | 'ಪ್ಲಾಟ್ ವಿಂಡೋ' ದಲ್ಲಿ, A1 ನ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ ಮತ್ತು CH1ಗೆ ಎಳೆಯಿರಿ. A1 ಅನ್ನು CH1ಗೆ ನಿಗದಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ. |
06:49 | A2 ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ ಮತ್ತು CH2 ಗೆ ಎಳೆಯಿರಿ.
A2 ಅನ್ನು CH2 ಗೆ ನಿಗದಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ. |
06:54 | ತರಂಗಗಳನ್ನು ಸರಿಹೊಂದಿಸಲು, mSec/div ಸ್ಲೈಡರ್ ಅನ್ನು ನಡೆಸಿ. ಫೇಜ್ ನಲ್ಲಿ 180 ಡಿಗ್ರೀ ಅಂತರ ಇರುವ ಎರಡು Sine ತರಂಗಗಳನ್ನು ರಚಿಸಲಾಗಿದೆ. |
07:04 | CH1 ನ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ ಮತ್ತು FIT ಗೆ ಎಳೆಯಿರಿ.
CH2 ನ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ ಮತ್ತು FIT ಎಳೆಯಿರಿ. |
07:10 | ಬಲಭಾಗದಲ್ಲಿ 'ವೋಲ್ಟೇಜ್' ಮತ್ತು'ಫ್ರಿಕ್ವೆನ್ಸಿ' ವ್ಯಾಲ್ಯೂಗಳನ್ನು ತೋರಿಸಲಾಗಿದೆ. |
07:15 | CH1 ನ ಮೇಲೆ ರೈಟ್-ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ. ವಿಂಡೋದ ಕೆಳಭಾಗದಲ್ಲಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಫ್ರಿಕ್ವೆನ್ಸಿ & ಫೇಜ್ ಶಿಫ್ಟ್ ವ್ಯಾಲ್ಯೂಗಳನ್ನು ತೋರಿಸಲಾಗಿದೆ. |
07:25 | ಈಗ, ನಾವು 'ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ CE' (collector emitter) ನ ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳ ಕರ್ವ್ ಗಳನ್ನು ರಚಿಸುವೆವು. |
07:31 | ದಯವಿಟ್ಟು '2N2222, NPN ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್' ಅನ್ನು ಬಳಸಿ. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ನ ವೈರ್ ಗಳನ್ನು ಸೋಲ್ಡರ್ ಮಾಡಿ. ಇದರಿಂದ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು 'ExpEYES' ಕಿಟ್ ಗೆ ಸರಿಯಾಗಿ ಜೋಡಿಸಬಹುದು. |
07:44 | ನಾನು ಸರ್ಕೀಟ್ ಕನೆಕ್ಷನ್ ಗಳನ್ನು ವಿವರಿಸುವೆನು.
SQR1 ಅನ್ನು 200 K ರೆಸಿಸ್ಟರ್ ಗೆ ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ. 200 K ರೆಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು 'ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್'ನ 'ಬೇಸ್' ಗೆ ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ. |
07:56 | 1K ರೆಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿ, 'PVS' ಅನ್ನು 'ಕಲೆಕ್ಟರ್' ಗೆ (collector) ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ.
'1K ರೆಸಿಸ್ಟರ್' ಮತ್ತು'collector' ಗಳ ನಡುವೆ IN1 ಅನ್ನು ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ. |
08:06 | 'Emitter' ಅನ್ನು (ಎಮಿಟರ್) 'GND' (ground) ಗೆ ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ.
200K ರೆಸಿಸ್ಟರ್ ಮತ್ತು GND ಗಳ ನಡುವೆ 100uF (ಮೈಕ್ರೋ ಫರಾಡ್) ಕೆಪ್ಯಾಸಿಟರ್ ಅನ್ನು ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇದು ‘ಸರ್ಕೀಟ್’ ಡೈಗ್ರಾಮ್ ಆಗಿದೆ. |
08:18 | ನಾವು ಇದರ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಪ್ಲಾಟ್ ವಿಂಡೋ ದ ಮೇಲೆ ನೋಡೋಣ. |
08:21 | 'ಪ್ಲಾಟ್ ವಿಂಡೋ' ದಲ್ಲಿ, 'Set PVS' ವ್ಯಾಲ್ಯೂಅನ್ನು 3 volts ಎಂದು ಸೆಟ್ ಮಾಡಿ. 'ಇಂಟರ್ನಲ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್' ಅನ್ನು ಒದಗಿಸಲು, 'PVS' ಅನ್ನು '3 volts' ಗೆ ಸೆಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ. |
08:31 | 'EXPERIMENTS' ಎಂಬ ಬಟನ್ ನ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ ಮತ್ತು 'Transistor CE' ಯನ್ನು ಆಯ್ಕೆಮಾಡಿ. |
08:37 | 'EYES Junior: Transistor CE characteristics' ಹಾಗೂ 'Schematic' ಎಂಬ ವಿಂಡೋಗಳು ತೆರೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ.
'Schematic' ವಿಂಡೋ, ಸರ್ಕೀಟ್ ಡೈಗ್ರಾಮ್ ಅನ್ನು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ. |
08:47 | 'EYES Junior: Transistor CE characteristics' ವಿಂಡೋದಲ್ಲಿ, 'ಬೇಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್' ಅನ್ನು 1 Volt ಗೆ ಬದಲಾಯಿಸಿ. |
08:55 | 'START' ಬಟನ್ ನ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ. 'ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕರೆಂಟ್', ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸ್ಥಿರವಾಗುತ್ತದೆ.
'ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕರೆಂಟ್', ಸುಮಾರು 0.3 mA ಆಗಿದೆ. 'Base Current' 2uA (ಮೈಕ್ರೋ ampere) ಆಗಿದೆ. |
09:10 | 'ಬೇಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್' ಅನ್ನು 2 ವೋಲ್ಟ್ ಗಳಿಗೆ ಬದಲಾಯಿಸಿ ಮತ್ತು 'START' ಬಟನ್ ನ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ. 'ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕರೆಂಟ್', (Collector current) 1.5 mA ಆಗಿದೆ. |
09:19 | 'Base Current', 7uA (ಮೈಕ್ರೋ ಆಂಪಿಯರ್) ಆಗಿದೆ. |
09:23 | ಬೇಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು '3V' ಗೆ ಬದಲಾಯಿಸಿ ಮತ್ತು 'START' ಬಟನ್ ನ ಮೇಲೆ ಕ್ಲಿಕ್ ಮಾಡಿ. 'ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕರೆಂಟ್', 2.7mA ಆಗಿದೆ. |
09:33 | 'Base Current' (ಬೇಸ್ ಕರೆಂಟ್), 12 uA (ಮೈಕ್ರೋ ಆಂಪಿಯರ್) ಆಗಿದೆ. |
09:37 | ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತವಾಗಿ, |
09:38 | ಈ ಟ್ಯುಟೋರಿಯಲ್ ನಲ್ಲಿ, ನಾವು -
'PN ಜಂಕ್ಶನ್ ಡಯೋಡ್' ನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆ, 'ಡಯೋಡ್'- ಒಂದು 'ರೆಕ್ಟಿಫೈಯರ್' ನ ಹಾಗೆ, 'ಡಯೋಡ್ IV (ಐ-ವಿ)' ಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು, LED IV ಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು, 'ಔಟ್ ಆಫ್ ಫೇಜ್ ಇನ್ವರ್ಟಿಂಗ್ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್' ಮತ್ತು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ CE ಇವುಗಳನ್ನು ಕಲಿತಿದ್ದೇವೆ. |
09:58 | ಒಂದು ಅಸೈನ್ಮೆಂಟ್-
ಬೆಳಕಿನ ಮೂಲದಿಂದ ಅದರ ಗಾಢತೆ ಮತ್ತು ಅದರ ಪರಿವರ್ತನೆಯನ್ನು ಅಳೆಯಿರಿ. ಇದು ‘ಸರ್ಕೀಟ್’ ಡೈಗ್ರಾಮ್ ಆಗಿದೆ. ಔಟ್ಪುಟ್, ಹೀಗೆ ಕಾಣಬೇಕು. |
10:13 | ಈ ವೀಡಿಯೋ, ಸ್ಪೋಕನ್ ಟ್ಯುಟೋರಿಯಲ್ ಪ್ರಕಲ್ಪದ ಸಾರಾಂಶವಾಗಿದೆ. ನಿಮಗೆ ಒಳ್ಳೆಯ ‘ಬ್ಯಾಂಡ್ವಿಡ್ತ್’ ಸಿಗದಿದ್ದರೆ ನೀವು ಇದನ್ನು ಡೌನ್ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ ನೋಡಬಹುದು. |
10:21 | ನಾವು ‘ಸ್ಪೋಕನ್ ಟ್ಯುಟೋರಿಯಲ್’ಗಳನ್ನು ಬಳಸಿ ಕಾರ್ಯಶಾಲೆಗಳನ್ನು ನಡೆಸುತ್ತೇವೆ ಮತ್ತು ಪ್ರಮಾಣಪತ್ರವನ್ನು ಕೊಡುತ್ತೇವೆ. ದಯವಿಟ್ಟು ನಮ್ಮನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಿ. |
10:28 | ‘ಸ್ಪೋಕನ್ ಟ್ಯುಟೋರಿಯಲ್ ಪ್ರೊಜೆಕ್ಟ್’, NMEICT, MHRD, ಭಾರತ ಸರ್ಕಾರದ ಅನುದಾನವನ್ನು ಪಡೆದಿದೆ. |
10:34 | IIT Bombay ಯಿಂದ, ‘ಸ್ಕ್ರಿಪ್ಟ್’ನ ಅನುವಾದಕಿ ಸಂಧ್ಯಾ ಪುಣೇಕರ್ ಹಾಗೂ ಪ್ರವಾಚಕ ನವೀನ್ ಭಟ್, ಉಪ್ಪಿನಪಟ್ಟಣ.
ವಂದನೆಗಳು. |